賽默飛 ELEMENT GD PLUS 輝光放電質譜儀結合了輝光放電離子源和雙聚焦高分辨率質量分析器，可以定性定量分析固體樣品中包括C、N、O在內的幾乎所有元素，是直接、快速分析高純樣品雜志含量和鍍層材料元素組成的zui佳工具。
了解如何借助 賽默飛 ELEMENT GD PLUS 輝光放電質譜儀為固體中高級高純度材料的直接分析定義新的標準。通過限度減少校準和樣品制備操作，可提高樣品處理量并達到超低檢測限，從而使 GD-MS 適合整塊金屬分析和深度剖析應用。
陶瓷和其他幾種非導電粉末使用二次電極法進行分析，從而提供相同水平的靈敏度和數(shù)據(jù)質量。這使得 GD-MS 成為痕量金屬分析的可靠標準方法。
存在于固體樣品中的幾乎所有元素都可進行常規(guī)檢測和定量：許多元素的含量低于十億分率 (ppb) 水平。
µs 脈沖式高流速輝光放電池
采用脈沖放電模式的高靈敏度離子源
廣泛可調的濺射速率適用于快速進行整體分析和高級深度剖析應用
使用二級電極進行氧化鋁粉末分析
雙聚焦質譜儀
高離子傳輸率和低背景使得信噪比可達亞 ppb 級檢測限
高質量分辨率可提供zui高水平的選擇性和準確度：是*的分析結果的先決條件
十二數(shù)量級的自動檢測系統(tǒng)
在一次分析中測定基體和超痕量元素，全自動檢測器涵蓋 12 數(shù)量級動態(tài)線性范圍
直接定量測定基體元素 IBR（離子束比率）
高效率和簡單易用的軟件包
所有參數(shù)均由計算機控制
全自動調諧、分析和數(shù)據(jù)評估
自動 LIMS 連接性
遠程控制和診斷
Windows 7
樣品周轉時間通常少于 10 分鐘
能夠在一次分析中測定基體元素到超痕量元素
深度剖析涵蓋數(shù)百微米到一納米的層厚度
最小化基體效應，便于進行直接定量
