電阻率計SEMILAB鋼錠缺陷檢測裝置PLB-55
鋼錠缺陷檢測裝置PLB-55,PLB-55i,電阻率計RT-1000,體積電阻率測量裝置RT-110,載流子壽命測定裝置WT-2000P,WT-2010D,μPCD載流子壽命測量裝置WT-2000PVN
電阻率計SEMILAB鋼錠缺陷檢測裝置PLB-55
電阻率計SEMILAB鋼錠缺陷檢測裝置PLB-55
鋼錠缺陷檢測裝置PLB-55,PLB-55i,電阻率計RT-1000,體積電阻率測量裝置RT-110,載流子壽命測定裝置WT-2000P,WT-2010D,μPCD載流子壽命測量裝置WT-2000PVN,少數載流子壽命測量裝置WT-2000PI,PN測定儀PN-100
產品介紹
PLB是一種易于使用的裝置，用于快速、非接觸式檢測太陽能電池應用中硅塊中的缺陷和雜質濃度。
它是一種易于使用的裝置，用于快速、非接觸地檢測光伏應用中硅塊中的缺陷。
PLB是-種利用紅外線檢測硅塊內部異物(主要是SiC、SiN等)的設備。用線鋸等切割硅塊時，通過提前檢測和處理內部異物，可以防止線鋸損壞和斷線。
硅單晶、多晶、 非晶等體電阻率的非接觸測量。有助于提高太陽能電池的轉換效率。
RT-1000電阻率儀基于渦流法，可實現對錠塊體電阻率的非接觸、無損測量，以及單晶/多晶硅、鍋屑等原材料的快速分選。RT-1000P 是該電阻率計的便攜式版本，可通過 USB 端口與任何計算機配合使用。
RT-110電阻率儀是一種非接觸式體電阻率測量設備，用于硅片的高速分選。它使用渦流技術工作。RT-110電阻率儀適用于測量半導體晶圓本身的電阻率和厚度。晶圓處理是手動完成的，測量是自動開始的。RT-110 可以測量四種不同的電阻率范圍。導電類型也可以用內置的 PN 確定器來確定。
WT-2000P 是一種高通量在線測量儀器，通過測量載流子復合壽命和電阻率來監控硅塊的質量。在 210 x 210 x 500 mm 的硅塊上進行快速非接觸式測量（單點、線掃描和/或地圖）。有手動和自動測量方式，上塊功能也有手動和自動（傳送帶）。它還具有高級自動化功能。
載流子復合壽命是多晶硅塊的關鍵質量控制參數。測量基于 µ-PCD 方法。電阻率是基于渦流法測量的。
WT-2000PVN 是一款臺式測量裝置，可以測量各種太陽能電池、晶圓和塊?；鞠到y配備間接功能，您可以根據實際需要從以下選項中選擇配置測量功能。WT-2000PVN不僅可以測量晶圓和電池，還可以測量塊和錠。測量晶圓或電池時，通常會創建地圖。此外，在測量塊或錠時，通常只創建線掃描以節省時間，但 WT-2000PVN 可以同時進行。
少數載流子壽命測量裝置。u-PCD法可對硅塊、硅片進行非接觸、無損的壽命測量，并可進行映射顯示。通過壽命測量，可以評估污染和雜質，例如硅和化合物半導體中的鐵濃度。
WT-1200i 是一種非接觸式手持式儀器，用于基于渦流檢測光電導衰減 (e-PCD) 的單點體積壽命單點測量，適用于單晶錠和小塊金屬污染。專為檢測而開發。與表面鈍化樣品中的 μ-PCD 高度相關。
WT-2000PI 壽命掃描儀是一款完整的測量設備，用于基于 e-PCD 方法監測 ?300 x 500mm 硅錠中的少數載流子壽命，無需鈍化?？焖俜墙佑|式測量（硅錠上的單點、線掃描和/或地圖）。具有手動和自動測量模式，并配備手動上錠功能。
硅單晶、多晶、非晶等體電阻率的非接觸測量。有助于提高太陽能電池的轉換效率。
少數載流子壽命測量裝置。u-PCD法可對硅塊、硅片進行非接觸、無損的壽命測量，并可進行映射顯示。通過壽命測量，您可以評估污染和雜質，例如硅和化合物半導體中的鐵濃度。
WT-2000D是一款通過測量載流子復合壽命和電阻率來監控硅塊質量的綜合測量儀器。在 210 x 210 x 500 mm 的硅塊上進行快速非接觸式測量（單點、線掃描和/或地圖）。有手動和自動測量方式，裝塊功能為手動。載流子復合壽命是多晶硅塊的關鍵質量控制參數。測量基于 µ-PCD 方法。電阻率是基于渦流法測量的。
PN-100 是一種易于使用的儀器，用于快速、非接觸式測定半導體材料的導電類型（p 或 n）。
