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電子束蒸鍍設備 E-beam Evaporation System
電子束蒸發與熱蒸發對比, 能夠在非常高的溫度下熔化材料, 如鎢, 石墨 ... 等等. 結合石英震蕩片的反饋信號, 可輕松控制蒸發速率, 以調節電子束電流并蒸發更多材料而不會破壞真空. 因此, 電子束蒸發用于薄膜制程領域, 包括半導體, 光學, 太陽能電池板, 玻璃和建筑玻璃, 因此它們具有所需的導電, 反射, 透射和電子等特性.
上海伯東代理 SYSKEY 中國臺灣矽碁科技電子束蒸鍍設備是一種實用且高度可靠的系統, 蒸鍍系統可針對量產使用單一坩堝也可以有多個坩堝來達到產品多層膜結構. 在基板乘載上針對半導體研究和大型設備設計, 單片和多片公自轉的設計可以控制蒸發速率, 薄膜厚度和均勻度小于 +/- 3％. 腔體的極限真空度約為 10-8 Torr. 為了獲得盡可能大的制程靈活性, 可以結合美國 KRi 離子源進行離子輔助沉積或者預清潔等功能.
上海伯東電子束蒸鍍設備配置和優點
客制化的基板尺寸, z大直徑可達 12寸晶圓
單載片或多載片 (2” x 32個，4” x 16個，6” x 6個，8” x 4個）
薄膜均勻度小于 ±3％
具有水冷坩堝的多組坩鍋旋轉電子束源 (1/2/4/6坩堝）
自動鍍膜系統
具有順序操作或共沉積的多個電子束源
基板具有冷卻 (液態氮溫度低至-70°C) 或加熱 (溫度z高800°C) 等功能
電子束蒸鍍設備基本參數
系統 | Real 超高真空 | 超高真空 | 高真空 |
極限真空 | 5X10-10 Torr | 5X10-9 Torr | 3X10-7 Torr |
腔室密封 | 全部 CF | 一些密封圈 | 全部密封圈 |
Load-lock | 標準 | 標準 | 可選 |
E-beam 源 | 4-6 坩堝 | 4-6 坩堝 | 4-6 坩堝 |
基板 | 4-8 英寸 | 4-8 英寸 | 4-8 英寸 |
真空泵 | 低溫泵 | 低溫泵 / 分子泵 | 低溫泵 / 分子泵 |
監控 | 真空規 和 QCM | 真空規 和 QCM | 真空規 和 QCM |
工藝控制 | 速率控制 | 速率控制 | 速率控制 |
供氣 | 氮氣 | 氮氣 | 氮氣 |
腔體
由 304不銹鋼所制成, 通過外部焊接 304不銹鋼管線對腔體進行水冷
寬大的前開式門, 并有兩個窗口和窗口遮版用于觀察基材和電子束源
腔體的極限真空度約為 10-8 Torr
選件
可以與傳送腔, 機械手臂和手套箱整合在一起
結合美國 KRi 離子源, 濺鍍槍, 熱蒸發源, 等離子清潔...
應用領域
光學材料研究 (LED / Laser Diode)
光電元件
半導體元件
對傳統熱蒸發技術難以實現的材料蒸發, 可采用電子束蒸發的方式來實現. 不同于傳統的輻射加熱和電阻絲加熱, 高能電子束轟擊可實現超過 3000℃ 的局域高溫, 這使得絕大部分常用材料都可以被蒸發出來, 甚至是高熔點的材料, 例如, Pt, W, Mo, Ta 以及一些氧化物, 陶瓷材料等. 上海伯東代理的電子束蒸發源可承載 1-6種不同的材料, 實現多層膜工藝; 蒸發源本身防污染設計, 使得不同材料之間的交叉污染降到盡可能低.
若您需要進一步的了解電子束蒸鍍設備詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 羅先生
