多靶反應濺射鍍膜系統（用于單層膜/多層膜制備 ）

關鍵詞：單層膜、多層膜、半導體、光電子學、光子學、微機電系統、MEMS、微流體技術、

                磁性膜、光學膜、金屬膜、絕緣膜、半導體膜、共濺射

                             連續沉積、進口磁控濺射、SiO2、ZrO2、TiO2、DC靶、RF靶

型號：MP600S，  產地：歐洲 ，   應用：制備單層/多層金屬薄膜。

多靶反應磁控濺射鍍膜儀是微米納米器件制備的設備，可用于制備單層/多層金屬薄膜等，適用于半導體，光電子學，光子學，微機電系統（MEMS）和微流體技術等領域。

反應腔體：內徑為600mm，高度300mm，采用電化學拋光不銹鋼

真空系統：采用1500 l/s低溫泵+15m³/h 干泵

                  采用薄膜真空計、潘寧/皮拉尼真空計

襯底尺寸：可加載4英寸襯底

                  采用電阻加熱可達500℃

                  采用K型熱電偶測溫

磁控陰極：四個6英寸磁控陰極，

                  與樣品臺的距離手動可調（7-15cm）

                  每個陰極配備一個 圓柱形擋板，防止 污染

                  每個陰極配備一個電氣閥

                  每個陰極都可以是直流或射頻模式

陰極電源：一個300W 13.56MHz射頻電源（可以升級到2kW）

                  射頻轉換開關可用于濺射或襯底清洗

                  一個2kW 直流電源

偏置電壓：10V-300V可調

反應氣路：分別為Ar、N2、O2氣路，每個氣路配備MFC

Load Lock：采用Al合金腔體，手動樣品傳動臂。

                     采用主腔體干泵抽氣

控制系統：全自動控制，半自動和手動模式可用

若對我們的設備感興趣，歡迎聯系我們！