- 設備特點
1.升降溫速度快，升溫采用環形紅外短波加熱器，升溫速率可達200℃/s，降溫時通過將爐膛退出，實現對產品的快速降溫；
2.測溫采用精準的S型金屬熱電偶直接測量產品表面，使加熱工件的溫度更加準確；
3.控制數學控制數學模型采用*的PID自學習模糊雙閉環控制模式，使控溫精度在快速升溫的恒溫狀態仍能保持在±3℃；
4.功能多樣化，既可以用于材料的快速升降溫退火，也可用于化學氣相沉積（CVD）法，在鎳或銅箔上制備石墨烯的制備。
- 設備參數
電源 | AC380~400V，50HZ（60Hz定制） |
功率 | 15Kw |
額定溫度 | 1100℃ |
使用溫度 | ≤1000℃ |
反應腔室尺寸 | Φ100X200 |
溫場均勻性 | ±3℃ |
溫度控制模式 | 智能模糊全閉環PID控制 |
傳感器內型 | S型單鉑銠 |
升溫速率 | 200℃/s |
降溫速率 | 1～200℃/s（通氮氣，速率更快） |
操作方式 | 觸摸屏控制 |
真空系統 | 選配 |
進出氣接口 | Φ6卡套 |
本產品接受非標定制 | |
