簡介
標(biāo)準(zhǔn)的狹縫掃描是通過改變位于檢測器之前的XY方向的狹縫。帶有USB 2.0端口驅(qū)動(dòng)的BeamMap2,有多個(gè)位于不同Z平面的狹縫的轉(zhuǎn)盤,可以測量多個(gè)Z平面的XY強(qiáng)度分布，計(jì)算直徑和中心實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)測定和調(diào)整。
儀器特點(diǎn)
190 至 1150 nm, 硅探測器
650 至 1800 nm, InGaAs探測器
1000 至 2300nm 或 2500 nm, InGaAs探測器
多個(gè)平面空間可選
光束直徑從5 µm 至 4 mm, 在刀峰模式下可達(dá)2 µm*
USB 2.0供電; 靈活的3m長導(dǎo)線
0.1 µm 采樣分辨率
線性與對數(shù)表達(dá)X-Y輪廓和質(zhì)心
輪廓縮放和狹縫寬度補(bǔ)償
實(shí)時(shí)多Z平面掃描狹縫系統(tǒng)
實(shí)時(shí) XYZ 輪廓，焦點(diǎn)位置
實(shí)時(shí) M2、發(fā)散、準(zhǔn)直、對齊
*基于模式
應(yīng)用領(lǐng)域
激光印刷與激光打標(biāo)
科研激光器
半導(dǎo)體激光系統(tǒng)
光纖通信系統(tǒng)
研發(fā)，生產(chǎn)，現(xiàn)場服務(wù)
連續(xù)/脈沖激光器，Φ µm ≥ [500/(PRR in kHz)]
在M2DU平臺上測量M2
技術(shù)參數(shù)
型號 | BeamMap2 | BeamMap2-CM |
波長范圍 | 硅探測器: 190 至 1150 nm InGaAs探測器: 650 至 1800 nm 硅 + InGaAs 探測器: 190 至 1800 nm 硅 + InGaAs (拓展) 探測器: 190 至 2300 或 2500 nm | |
可掃描的光束直徑 | 硅探測器: 5 µm 至 4 mm, 刀鋒模式下可達(dá)2 µm* InGaAs探測器: 10 µm 至 3 mm, 刀鋒模式下可達(dá)2 µm* InGaAs (拓展) 探測器: 10 µm 至 2 mm, 刀鋒模式下可達(dá)2 µm* | |
平面空間 | 4XY 模式: 100 µm: -100, 0, +100, +400 µm 250 µm: -250, 0, +250, +1000 µm 500 µm: -500, 0, +500, +2000 µm 750 µm: -750, 0, +750, +3000 µm | CM4 模式： 5 mm: -5, 0, +5, +20 mm |
平面空間 | 3XYKE 模式: 50 µm: -50, 0, +50, 0 µm 100 µm: -100, 0, +100, 0 µm | CM3 模式： 10 mm: -10, 0, +10, 0 mm |
束腰直徑測量 | 二次矩 (4s) 直徑 ISO 11146; 擬合高斯函數(shù)和TopHat函數(shù) 1/e2 (13.5%) 寬度 用戶可選的峰值% 刀鋒模式下，用于測量很小的光束 | |
束腰位置測量 | ± 20 µm在 X, Y 和 Z 平面上 | |
可測量光源 | 連續(xù)/脈沖激光器, F µm = [500/(PRR in kHz)] | |
分辨率精度 | 0.1 µm 或 0.05%，在掃描范圍內(nèi) ± < 2% ± = 0.5 µm | |
M2 測量 | 1 至 > 20, ± 5% | |
發(fā)散/準(zhǔn)直，指向 | 1 mrad | |
功率和輻照度 | 1 W 總功率，0.5 mW/µm2 | |
增益范圍 | 1,000:1 Switched 4,096:1 ADC范圍 | |
顯示圖形 | X-Y-Z 位置和輪廓，縮放 x1 到 x16 | |
更新速率 | ~5 Hz | |
通過/失敗顯示 | 屏幕上可選擇的通過/失敗顏色。 QC和生產(chǎn)的理想選擇。 | |
多次運(yùn)行取均值 | 用戶可選擇的運(yùn)行平均值（1 到 8 個(gè)樣本） | |
數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì) | 最小值，值，平均值，標(biāo)準(zhǔn)差 長時(shí)間記錄數(shù)據(jù) | |
XY 輪廓和質(zhì)心 | 光束漂移顯示和記錄 | |
PC系統(tǒng)要求 | Windows, 2 GB RAM, USB 2.0/3.0 port | |
測試數(shù)據(jù)
尺寸圖
