ANS305-DST單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術壓力傳感器，單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部，遠離介質接觸面，實現
機械隔離和熱隔離，玻璃燒結一體的傳感器引線與金屬基體的高強度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護的
能力，可應對復雜的化學場合和機械負荷，同時具備較強的電磁*，適合苛刻的流程工業環境中壓力、液位或流量測量應用。
主要參數 應用場合測量介質壓力類型 差壓量程范圍 10kPa - 1MPa，詳見選型表輸出信號 4-20mA、4-20mA+HART、ModbusRTU/RS485及其它參考精度 ±0.2%量程上限，大±0.5%量程上限，詳見規格參數與接觸材質兼容的流體壓力、液位、差壓、密度、界面、流量。
規格參數標稱量程 最小量程 量程下限（LRL） 量程上限（URL） 靜壓范圍* 單向高壓端過載* 單向低壓端過載*40kPa 4kPa -40kPa 40kPa 40MPa 25MPa 16MPa250kPa 25kPa -250kPa 250kPa 40MPa 25MPa 500kPa1MPa 100kPa -500kPa 1MPa 40MPa 25MPa 500kPa設置高、低限值要求：低限值（LRV）與高限值（URV）在量程上下限范圍內取值，當｜URV｜≥｜LRV｜時，須滿足｜URV｜≥最小量程；當｜URV｜≤｜LRV｜時，須滿足｜LRV｜≥最小量程*過壓限定值：取決于承壓能力最弱部件的壓力值，此過載壓力為傳感器所能承受的大壓力，而非產品本身所能承受的大壓力量程及范圍極限測試標準：GB/T28474/IEC60770；基準條件：從零點開始的量程；硅油充液，316L不銹鋼隔離膜片，4-20mA模擬輸出，端基微調至設定值性能測試標準及基準條件總體性能包括并不限于【參考精度】、【環境溫度影響】、【靜壓影響 】、和其它影響的綜合誤差典型精度：±0.2%量程上限年穩定性：±0.2%量程上限/5年性能指標參考精度在-20-80℃范圍內總影響量 ±（0.1+0.1TD）%量程上限環境溫度影響靜壓影響零點影響 ±0.15TD%量程上限/4MPa滿量程影響 ±0.2%量程上限/4MPa當供電電壓在10.5/16.5-55VDC內變化， 其零點和量程的變化應不超過 ±0.005%量程上限/V電源影響任意位置安裝，大不超過400Pa可通過清零功能校正按GB/T1827.3/IEC61298-3測試，＜0.1%量程上限安裝位置影響振動影響輸出信號依據標準和測試基準條件，包括線性（BFSL）、遲滯、重復性。校準溫度：20℃±5℃線性輸出精度TD≤10（注1） ±0.2%量程上限 標稱量程40kPa、250kPa 、1MPa、大值 ±0.5%量程上限平方根輸出精度為以上線性參考精度的1.5倍注1：TD（Turn down）是指量程比，當｜URV｜≥｜LRV｜時，TD=URL/｜URV｜當｜URV｜≤｜LRV｜時，TD=URL/｜LRV｜ 信號 類型 輸出方式4-20mA 線性 二線制4-20mA+HART 線性 二線制Modbus-RTU/RS485 線性 四線制
