名稱：懸臂梁沖擊試驗(yàn)機(jī)
型號(hào)：KRT-2022C
一、懸臂梁沖擊試驗(yàn)機(jī)用途
懸臂梁沖擊試驗(yàn)機(jī)主要用于硬質(zhì)塑料（包括板材、管材、塑料異型材）、增強(qiáng)尼龍、玻璃鋼、陶瓷、鑄石、電絕緣材料等非金屬材料沖擊韌性的測(cè)定。本試驗(yàn)機(jī)是化業(yè)、科研單位、大專院校、質(zhì)量檢測(cè)等部門理想的試驗(yàn)設(shè)備。該設(shè)備具有精度高、穩(wěn)定性好和測(cè)量范圍大等特點(diǎn)，數(shù)字化測(cè)量系統(tǒng)直接顯示沖擊能量和沖擊強(qiáng)度，并自動(dòng)補(bǔ)償能量損耗和計(jì)算沖擊強(qiáng)度平均值，選配微型打印功能可打印測(cè)試結(jié)果報(bào)告。
二、懸臂梁沖擊試驗(yàn)機(jī)特點(diǎn)
1.智能控制器，并配備液晶顯示器，能直觀，準(zhǔn)確的讀取數(shù)據(jù)；
2.采用高強(qiáng)度穩(wěn)定機(jī)架，沖擊時(shí)避免沖擊產(chǎn)生的震動(dòng)影響；
3.采用三維軟件設(shè)計(jì)沖擊擺錘，將沖擊點(diǎn)zui大集中在擺錘的質(zhì)心上，真正做到無(wú)震動(dòng)沖擊試驗(yàn)，且使用壽命增長(zhǎng)。
4.采用工業(yè)高分辨率的數(shù)字編碼器，角度測(cè)試精度更高更穩(wěn)定
5.符合空氣動(dòng)力學(xué)原理的沖擊錘和進(jìn)口滾珠軸承，極大的減少了機(jī)械帶來(lái)的摩擦損耗，自動(dòng)計(jì)算沖擊強(qiáng)度，試驗(yàn)數(shù)據(jù)可保存24組數(shù)據(jù)且求平均值
6.IZOD沖擊試驗(yàn)機(jī)可選擇中英文操作界面，測(cè)試結(jié)果可選擇J/m,KJ/㎡，kg-cm/cm,ft-ib/in等單位
7.內(nèi)置微型打印機(jī)（選配）,可打印平均值。
三、懸臂梁沖擊試驗(yàn)機(jī)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
ISO180—2000《塑料—硬質(zhì)材料懸臂梁沖擊強(qiáng)度的測(cè)定》
GB/T1843—2008《硬質(zhì)塑料懸臂梁沖擊試驗(yàn)方法》
JB/T8761—1998《塑料懸臂梁沖擊試驗(yàn)機(jī)》
ASTM D256-2010《測(cè)定塑料IZOD擺錘沖擊強(qiáng)度的試驗(yàn)方法》
四、懸臂梁沖擊試驗(yàn)機(jī)技術(shù)規(guī)格
4.1 顯示方式：彩色觸摸屏（中英文可切換）
4.2 角度顯示精度：0.01°
4.3 能量顯示精度：0.01J
4.4 沖擊速度： 3.5m/s
4.5擺錘能量：1號(hào)擺錘:2.75J 5.5J （本機(jī)默認(rèn)標(biāo)配1號(hào)擺錘）
2號(hào)擺錘：11J 22J（2號(hào)擺錘需客戶選配）
4.6 擺錘揚(yáng)角：150度
4.7 打擊中心距： 335mm
4.8 擺錘力矩：
pd 2.75=1.47372Nm
pd 5.5=2.94744Nm
pd 11=5.8949Nm
pd 22=11.7898Nm
4.9 沖擊刀刃至鉗口上面距離：22±0.2mm
4.10沖擊刀刃圓角半徑： R=0.8±0.2mm
4.11 能量損失：
2.75J<0.03j >5.5J<0.03j
11J<0.05j
22J<0.1>4.12使用溫度：15—35℃
4.13 電源電壓：220V 50Hz
4.14 外形尺寸：750X350X850mm
4.15 機(jī)臺(tái)重量：85kg
五、實(shí)物展示
懸臂梁沖擊試驗(yàn)機(jī)主要用于塑料行業(yè)
六、懸臂梁沖擊試驗(yàn)機(jī)知識(shí)拓展
KRT-2022C型懸臂梁沖擊試驗(yàn)機(jī),數(shù)顯式?jīng)_擊試驗(yàn)機(jī),塑料沖擊試驗(yàn)機(jī)特點(diǎn)及用途
科瑞特儀器是懸臂梁沖擊試驗(yàn)機(jī)的制造廠家，系統(tǒng)人性化，操作簡(jiǎn)便化，價(jià)格經(jīng)濟(jì)化，是我廠懸臂梁沖擊試驗(yàn)機(jī)的不斷追求LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會(huì)導(dǎo)致燒壞，關(guān)于這個(gè)問(wèn)題，也見(jiàn)到過(guò)有人在行業(yè)論壇發(fā)過(guò)貼討論過(guò)。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的電流來(lái)自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那么請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗
