FPSTA-11PH 硅光電探測器

這款硅光電探測器,silicon photodetectors是硅光探測器,硅光檢測器,具有超高響應速度,適合高速激光探測。
硅光電探測器具有較大通光孔徑可以接收直徑10mm的激光光束，配置螺紋孔方便安裝濾波片、衰減器、光纖適配器或其他光學元件，滿足用戶的特定需要。
硅光電探測器都有NIST可追蹤校準和單獨的波長校正,是探測210~1650nm低功率連續激光的理想硅光探測器。用戶可以選擇一種我們公司的激光衰減器,擴展硅光探測器的功能,以測量更高的激光功率。OD1的透過率10%， OD2的透過率是1%。當同時購買時，探測器是校準過的，不帶衰減器。

硅光電探測器11PH特點
大口徑設計,硅感光區域直徑達10mm
提供三個版本型號
硅SI:350~1080nm, 達750mW；
硅-紫外（SiUV）版本：210~1080nm, 達25 mW；
鍺版本：800~1650nm, 達500mW。
可供選擇的衰減器有：
OD0.3: 50%透過率（只用于11PH100-SiUV版本）；
OD1: 10%透過率；
OD2: 1%透過率。
檢測精度高,新型11PH100-Si-HA版本具有校準精度
用于精確校準,波長步進高達1nm
有智能接口，包含所有的校準數據。
硅光電探測器規格參數

Model	11PH100-Si-HA	11PH100-SiUV	11PH20-Ge
平均功率 (標配 /帶衰減器OD2)	36 mW / 750 mW	4 mW / 30 mW	30 mW / 500 mW
有效孔徑	10 mm Ø	10 mm Ø	5 mm Ø
測量能力
光譜范圍	350 – 1080 nm	210 – 1080 nm	800 – 1650 nm
配衰減器OD0.3	---	210 – 1080 nm	---
配衰減器OD1	420 – 1080 nm	400 – 1080 nm	900 – 1650 nm
配衰減器OD2	630 – 1080 nm	---	950 – 1650 nm
可可測功率 a	36 mW @ 1064 nm	4 mW @ 532 nm	30mW @ 1064nm
配衰減器OD0.3	---	11 mW @ 300 nm	---
配衰減器OD1	300 mW @ 1064 nm	25 mW @ 532 nm	300mW @ 1064nm
配衰減器OD2	750 mW @ 1064 nm	---	500mW @ 1064nm
噪音等效功率 b	10 pW @ 980 nm	10 pW @ 850 nm	60pW @ 1550nm
上升沿時間	0.2 sec	0.2 sec	0.2 sec
峰值靈敏度	0.5 A/W @ 980 nm	0.45 A/W @ 850 nm	0.98A/W@1550nm
校準不確定性	±6.0 % (350 - 399 nm) ±2.0 % (400 - 449 nm) ±1.5 % ( 450 - 940 nm) ±2.0 % (941 - 980 nm) ±5.0 % (981 - 1049 nm) ±7.0 % (1050 - 1080 nm)	±8 % (200 ~219nm) ±6.5 %(220~399nm) ±2.5%(400~899nm) ±3.5% (900~999nm) ±5%(1000~1049nm) ±7%(1050~1080nm)	±3.5%(800~1650nm) --- --- --- --- ---
校準不確定性 (帶衰減器OD filters)	±4.0 % (420 - 980 nm) ±5.0 % (981 - 1049 nm) ±7.0 % (1050 - 1080 nm)	±6.5%(210 ~399nm) ±5%(400 ~1049nm) ±7%(1050~080nm)	±5 %
激光損傷閾值
功率密度	100 W/cm2	100 W/cm2	100 W/cm2
外形尺寸
有效孔徑	10 mm Ø	10 mm Ø	5 mm Ø
尺寸	38.1O x 27.4D mm	38.1O x 27.4D mm	38.1O x 27.4D mm
重量(僅頭部)	130 g	130 g	130 g

規格參數可能變更,變更將不另行通知
a. 值取決于功率計表頭或監視器
b. 標值,取決于環境電磁干擾和波長