　　日立*集團的企業(yè)理念是“以成為先端技術(shù)領(lǐng)域里提供高科技解決方案的*為目標”。在這個理念的指引下，將電子裝置系統(tǒng)、生命科學系統(tǒng)、信息電子系統(tǒng)、*產(chǎn)業(yè)材料系統(tǒng)等各個事業(yè)部門的“先端技術(shù)”推向世界的Z前線。

　　為了應對日新月異的技術(shù)革新和需求的多樣化，達成事業(yè)的化，日立*集團同時具有用先端技術(shù)開發(fā)制造新產(chǎn)品的制造功能和向提供優(yōu)化解決方案的貿(mào)易公司機能，是一家在先端科技領(lǐng)域里向*更快、更好地提供產(chǎn)品和服務的性企業(yè)。

　　日立*集團Z重視的是在中國地區(qū)的事業(yè)戰(zhàn)略。我們在上海、北京、深圳、香港設(shè)立了獨資公司，這些地方分公司在中國的11個地區(qū)設(shè)有銷售和技術(shù)服務網(wǎng)點。同時在蘇州和大連還設(shè)有生產(chǎn)基地。日立*集團不但支持中國電子產(chǎn)業(yè)和高科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展的半導體制造，而且提供各種解析設(shè)備，LCD制造和檢查設(shè)備，芯片貼裝設(shè)備等。在保障人民安全和健康的科學醫(yī)療領(lǐng)域，還提供各種解析、分析儀器及應用相關(guān)系統(tǒng)等*開發(fā)產(chǎn)品和相應的優(yōu)質(zhì)且完善的售后服務。此外，日立*集團從中國各地向*提供支持電子、高科技、汽車產(chǎn)業(yè)、環(huán)境和節(jié)能技術(shù)的各種新功能材料的采購解決方案，通過靈活利用網(wǎng)絡和其貿(mào)易公司功能，實現(xiàn)創(chuàng)造附加價值的事業(yè)模式。

　　日立*中國實業(yè)集團作為被大家所信賴的企業(yè)，在遵紀守法的同時，力爭創(chuàng)造新的價值，以“客戶*位為根本”開展工作，探求持續(xù)性發(fā)展，通過營銷活動為中國的高科技產(chǎn)業(yè)、環(huán)境及能源事業(yè)、社會基礎(chǔ)設(shè)施的安全、人民健康等方面的發(fā)展，不斷地做著積極的貢獻。衷心希望今后也能夠繼續(xù)得到大家的支持和厚愛。

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瞬態(tài)熱電阻測量設(shè)備是用于測量IGBT/MOS-FET/Diod/BJT等的瞬態(tài)熱電阻的儀器。（左圖）照片為Model2085瞬態(tài)熱電阻測量儀

電源模塊瞬態(tài)熱電阻測量設(shè)備產(chǎn)品詳情

電源模塊瞬態(tài)熱電阻測量設(shè)備

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瞬態(tài)熱電阻測量設(shè)備是用于測量IGBT/MOS-FET/Diod/BJT等的瞬態(tài)熱電阻的儀器。

（左圖）照片為Model2085瞬態(tài)熱電阻測量儀

特點

BJT (Bipolar Junction Transistor)瞬態(tài)熱電阻測量設(shè)備
本設(shè)備向晶體管的基極•發(fā)射極通入微電流，測量此時基極與發(fā)射極之間的電壓。隨后在集電極與發(fā)射極之間施加電源，提升結(jié)點溫度。切斷電源后再次向晶體管的基極•發(fā)射極通入微電流，測量基極與發(fā)射極之間的電壓，計算出差值。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）瞬態(tài)熱電阻測量儀
與BJT瞬態(tài)熱電阻測量儀在同一時間計算柵極與發(fā)射極之間電壓差值的測量儀器。
P-MOS FET瞬態(tài)熱電阻測量儀
與BJT瞬態(tài)熱電阻測量儀在同一時間計算柵極與源極之間電壓差值的測量儀器。
能夠測量二極管的ΔVF

主要的設(shè)備規(guī)格

Model No.	2082B	2083	2085	2086
測量條件	VCB 2～199V IE 0.1～29.9A IM 1～99mA 精度±1% PW 1,2,5,10mS 20,50,100, 200mS 500, 1000mS	VCB 2～599V IE 0.1～249.9A IM 1～199mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2S	VCB 2～599V IE 0.1～500.0A IM 1～199mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2S	VCB 2～99V IE 0.1～99.9A IM 1～199mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2,5S,DC
測量范圍	ΔVBE 1～999mV VBE (max) 3V ΔVGS 10mV～9.99V VGS (max) 20V	ΔVBE 1～1999mV VBE (max) 3V 精度±1%	ΔVBE 1～1999mV VBE (max) 3V 精度±1%	ΔVBE 1～999mV VBE (max) 3V 精度±1%
采樣點	Td 50～990µS	Td 50～990µS	Td 50～990µS	Td 50～990µS
大偏置條件	?PW 1mS時 VCB 199V IE 29.9A ?PW 1S時 VCB 20V IE 20.0A	?PW 100µS時 VCB 599V IE 250A ?PW 2S時 VCB 20V IE 50A	?PW 100µS時 VCB 599V IE 500A ?PW 2S時 VCB 20V IE 100A	?PW 100µS時 VCB 99V IE 99.9A ?PW DC時 VCB 10V IE 50A
樣品極性	Nch/Pch NPN/PNP	NPN	NPN	NPN
電源	AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ	AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ	AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ	AC200V ±10% 50/60Hz 1Φ
外形尺寸[mm]	W670 D750 H1400	W820 D1350 H1700	W820 D1350 H1700	W670 D750 H1400

Model No.	2087	2185	2186
測量條件	VCB 2～1200V IE 0.1～999.9A IM 1～999mA 精度±1% PW 0.1～99.9mS 1～999mS 0.01～9.99S 0.1～99.9S 1～999S	VCE 5～99V IE 1～399A IM 1～99mA 精度±1% PW 1,2,5, 10mS 20,50, 100,mS 200,500mS 1,2,5,10S	VCE 10～1200V IE 0.1～99.9A IM 1～99mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2S
測量范圍	ΔVBE 1～999mV VBE (max) 3V 精度±1%	ΔVGE 5～1999mV VGE (max) 20V 精度±1%	ΔVGE 10～999mV VGE (max) 20V 精度±1%
采樣點	Td 50～990µS	Td 50～990µS	Td 50～990µS
大偏置條件	?PW 100µS時 VCB 1200V IE 1000A ?PW 2S時 VCB 20V IE 200A	?PW 1mS時 VCE 99V IE 399A ?PW 2S時 VCE 20V IE 100A	?PW 100µS時 VCE 1200V IE 99.9A ?PW 2S時 VCE 20V IE 50A
樣品極性	NPN	Nch NPN	Nch NPN
電源	AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ	AC200V ±5% 50/60Hz 1Φ	AC200V ±5% 50/60Hz 1Φ
外形尺寸[mm]	W1600 D2000 H1600	W1520 D2100 H1750	W800 D1600 H2000

關(guān)聯(lián)產(chǎn)品

電源模塊靜態(tài)特性測量設(shè)備
電源模塊動態(tài)特性測量設(shè)備
功率循環(huán)測試設(shè)備

關(guān)鍵詞：電源模塊熱電阻測量儀

熱門產(chǎn)品

產(chǎn)品名稱	參考價	地區(qū)	公司名稱	更新時間
倍加福P+F提前預定緊湊型電源模塊	面議	上海市	上海乾拓貿(mào)易有限公司	2025-03-09	在線詢價
BALLUFF電源模塊BES 12,0-KH-2L輸出電壓	面議	上海市	上海乾拓貿(mào)易有限公司	2025-03-05	在線詢價
ABL色度電源模塊	面議	武漢市	武漢宏浩機械貿(mào)易有限公司	2024-12-06	在線詢價
原裝優(yōu)勢供應MGV全系列電源模塊產(chǎn)品	￥100	上海	上海荊戈工業(yè)控制設(shè)備有限公司	2025-02-13	在線詢價
TXS1.EF4西門子電源總線連接模塊	￥298	濟南市	濟南工達捷能科技發(fā)展有限公司	2024-08-31	在線詢價
高壓電源模塊	￥180	深圳市	深圳市順源科技有限公司	2025-03-10	在線詢價

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