原理
導波雷達發(fā)出的高頻微波脈沖沿著探測組件（鋼纜或鋼棒）傳播，遇到被測介質，由于介電常數(shù)突變，引起反射，一部分脈沖能量被反射回來。發(fā)射脈沖與反射脈沖的時間間隔與被測介質的距離成正比。
容器中存在兩種不同介質，當上面一層的介質介電常數(shù)較小，而下面的介質介電常數(shù)較大時，高頻微脈沖沿著探測組件傳播遇到上層介質時，由于其介電常數(shù)較小，因而有極少的能量被這一層介面反射，而大部分能量穿透上層介質繼續(xù)向下傳播，遇到兩層的介面時，由于下層介質的介電常數(shù)較大，因而會有較大的能量被反射回來。因而導波雷達是可以測量兩種不同介質的介面，其測量條件是上層介質不導電或其介電常數(shù)比下層介質介電常數(shù)小10以上。
特點
由于采用了*的微處理器和*的EchoDiscovery回波處理技術，導波雷達物位計可以應用于各種復雜工況。
多種過程連接方式及探測組件的型式，使得GJMD5系列導波雷達物位計適于各種復雜工況及應用場合。如：高溫、高壓及小介電常數(shù)介質等。
采用脈沖工作方式，導波雷達物位計發(fā)射功率極低，可安裝于各種金屬、非金屬容器內，對人體及環(huán)境均無傷害。
| 型號 | GJMD50 | GJMD51 | GJMD52 | GJMD53 |
| 應用場合 | 帶揮發(fā)性物質或蒸汽的環(huán)境下的液體測量 | 能適應小量程，多蒸汽，小介電常數(shù)介質的測量 | 液體測量，高溫高壓工況 | 小介電常數(shù)液體及固體測量 |
| 測量范圍 | 30m | 6m | 30m | 30m |
| 測量精度 | ±10mm | ±10mm | ±10mm | ±10mm |
| 過程溫度 | （-40～200）℃ | （-40～200）℃ | （-40～400）℃ | （-40～200）℃ |
| 過程壓力 | （-0.1～4 ) MPa | （-0.1～4 ) MPa | （-0.1～4 ) MPa | （-0.1～4 ) MPa |
| 頻率范圍 | 100MHZ-1.8GHZ | 100MHZ-1.8GHZ | 100MHZ-1.8GHZ | 100MHZ-1.8GHZ |
| 信號輸出 | ( 4～20 ) mA / HART | ( 4～20 ) mA / HART | ( 4～20 ) mA / HART | ( 4～20 ) mA / HART |
| 供電方式 | 兩線制（DC24V) 四線制（DC24V / AC220V ) | |||
| 現(xiàn)場顯示 | 可選 | 可選 | 可選 | 可選 |
| 殼體 | 鑄鋁、不銹鋼 | 鑄鋁、不銹鋼 | 鑄鋁、不銹鋼 | 鑄鋁、不銹鋼 |
| 鋼纜/棒直徑 | Φ4mm、Φ6mm、Φ10mm | |||
| 探測組件材料 | 不銹鋼、PTFE 、陶瓷 | |||
| 過程連接 | 螺紋G1?A、G2A、1?NPT | |||
| 防爆等級 | 標準型（非防爆）、本安型（Exia IIC T6）、本安型+隔爆型（Exd [ia]ia IIC T6） | |||
| 其他選配 | ||||
