TMR2501采用了一個*的推挽式惠斯通全橋結構設計,包含四個非屏蔽高靈敏度TMR傳感器元件,可感應垂直于芯片表面的磁場。當外加磁場沿垂直于芯片表面方向變化時,惠斯通全橋提供差分電壓輸出。在-55℃~+150℃范圍內,TMR2501的敏感度和失調電壓可保持在一個穩定的水平。TMR2501性能*,采用兩種封裝形式:TO94和SSIP4。
TMR2501 Z軸垂直感應TMR線性傳感器產品特性:(1)隧道磁電阻(TMR)技術;(2)高靈敏度;(3)低功耗;(4)*的溫度穩定性;(5)極低的磁滯;(6)寬工作電壓范圍
TMR2501 Z軸垂直感應TMR線性傳感器典型應用:(1)磁力計;(2)電流傳感器;(3)位置傳感器。
公司提供的選項服務包括:
•以晶圓、裸片或封裝器件的形式提供TMR磁傳感器
•為TMR/GMR/AMR磁傳感器提供定制設計服務
•集成電路(ASIC)設計
•為TMR/GMR/AMR磁傳感器提供晶圓代工服務
•定制傳感器模塊設計與應用解決方案
•知識產權*服務:在我們不斷推進傳感器技術和擴大市場影響力的同時,提交專li的總數還將持續增長