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KRI 考夫曼離子源 KDC 10
上海伯東代理美國* KRI 考夫曼
離子源 KDC 10: 考夫曼型離子源 Gridded 系列小型號的離子源. 適用于集成在小型的真空設備中, 例如預清洗, 離子濺射, 離子蝕刻. 在<1000eV 低能量, 通 Ar 氬氣時離子蝕刻的能力顯著提高.KDC 10 離子源低損傷, 寬束設計, 低成本等優點廣泛應用在顯微鏡領域, 標準配置下 KDC 10 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 10mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 10 技術參數
型號 | KDC 10 |
供電 | DC magnetic confinement |
- 陰極燈絲 | 1 |
- 陽極電壓 | 0-100V DC |
- 柵極直徑 | 1cm |
中和器 | 燈絲 |
電源控制 | KSC 1202 |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 |
- 架構 | 移動或快速法蘭 |
- 高度 | 4.5' |
- 直徑 | 1.52' |
- 離子束 | 集中 平行 散設 |
-加工材料 | 金屬 電介質 半導體 |
-工藝氣體 | 惰性 活性 混合 |
-安裝距離 | 2-12” |
- 自動控制 | 控制4種氣體 |
KRI 考夫曼離子源 KDC 10 應用領域
離子清洗, 顯微鏡拋光 IBP
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
KRI 考夫曼
離子源 Gridded KDC 系列, 柵極燈絲型離子源, 通過加熱燈絲產生電子, 提供低電流高能量離子束. 離子束可選聚焦,平行, 散設三種方式, KDC 系列離子源適用于離子濺鍍和蒸發鍍膜 PC, 輔助鍍膜 ( 光學鍍膜 ) IBAD, 表面改性, 激活 SM, 離子濺射沉積和多層結構 IBSD, 離子蝕刻 IBE 等.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產
考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.
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