磁控濺射/真空蒸發(fā)復(fù)合型鍍膜設(shè)備
在同一鍍膜設(shè)備里，既利用磁控濺射陰極輝光放電將靶材原子濺出并部分離化沉積在基材上成膜，同時又可利用在真空中以電阻加熱將金屬鍍料熔融并讓其汽化再沉積在基材上成膜。增加了設(shè)備的用途和靈活性。該設(shè)備應(yīng)用于手機殼等塑料表面金屬化，應(yīng)用于不導(dǎo)電膜和電磁屏蔽膜沉積。
詳情介紹：
磁控濺射/真空蒸發(fā)復(fù)合型鍍膜設(shè)備將磁控濺射技術(shù)和真空蒸發(fā)技術(shù)結(jié)合在同一鍍膜設(shè)備里，既利用磁控濺射陰極輝光放電將靶材原子濺出并部分離化沉積在基材上成膜，同時又可利用在真空中以電阻加熱將金屬鍍料熔融并讓其汽化再沉積在基材上成膜。增加了設(shè)備的用途和靈活性。該設(shè)備應(yīng)用于手機殼等塑料表面金屬化，應(yīng)用于不導(dǎo)電膜和電磁屏蔽膜沉積。
磁控濺射/真空蒸發(fā)復(fù)合型鍍膜設(shè)備配置了等離子體處理裝置，高效磁控濺射陰極和電阻蒸發(fā)裝置等，設(shè)備沉積速率快，鍍層附著力好，鍍層細膩致密，表面光潔度高，且均勻性*性良好；該機實現(xiàn)鍍膜工藝全自動化控制，裝載量大，工作可靠，合格率高，生產(chǎn)成本低，綠色環(huán)保。該設(shè)備主要廣泛應(yīng)用于電腦殼、手機殼、家用電器等行業(yè)，可鍍制金屬膜、合金膜、復(fù)合膜層、透明（半透明）膜、不導(dǎo)電膜、電磁屏蔽膜等。
技術(shù)參數(shù)：
產(chǎn)品型號 | CY-MSE300S-DC | ||
樣品臺 | 樣品臺尺寸 | φ185mm | |
控溫精度 | ±1℃ | ||
轉(zhuǎn)速 | 1-20rpm可調(diào) | ||
濺射電流 | 2~20mA | ||
濺射電壓 | 1000V | ||
蒸發(fā)源 | 鎢絲籃 | ||
*高溫度 | 1700℃ | ||
精 確控溫 | 可設(shè)置30段升降溫程序，控溫精度為+/-1℃ | ||
真空腔體 | 腔體尺寸 | φ300mm × 300mm | |
觀察窗口 | φ100mm | ||
腔體材料 | 不銹鋼 | ||
開啟方式 | 上頂開式 | ||
膜厚監(jiān)測儀 | 監(jiān)測組件 | 電源 | DC 5V（±10%），*大電流400mA |
頻率分辨率 | ±0.03Hz | ||
膜厚分辨率 | 0.0136Å（鋁） | ||
膜厚準(zhǔn)確度 | ±0.5%，取決于過程條件，特別是傳感器的位置，材料應(yīng)力，溫度和密度 | ||
測量速度 | 100ms-1s/次，可設(shè)置 | ||
測量范圍 | 500000Å（鋁） | ||
標(biāo)準(zhǔn)傳感器晶體 | 6MHz | ||
計算機接口 | RS-232/485串行接口（波特率1200、2400、4800、9600、19200、38400可設(shè)置，數(shù)據(jù)位：8，停止位：1，校驗：無） | ||
模擬輸出 | 8比特分辨率，PWM脈寬調(diào)制輸出（集電極開路或內(nèi)部5V輸出） | ||
工作環(huán)境 | 溫度0-50℃，濕度5%-85%RH，不得有冷凝水珠 | ||
顯示儀 | 輸入電源 | AC 220V±10% | |
輸出電源 | DC 5V 3A | ||
顯示器 | 12×2數(shù)碼管與LED | ||
通訊端口 | RS-485（波特率1200、2400、4800、9600、19200、38400可設(shè)置，數(shù)據(jù)位：8位，停止位：1位 ，奇偶校驗：無） | ||
