高精度新型高溫反偏試驗臺
設備簡述
IGBT高壓反偏試驗是在一定溫度條件（125℃）下，按照規定的時間和電壓，對IGBT施加反偏電壓，從而對器件進行質量檢驗和耐久性評估的一種主要試驗方法。
DBC-320測試臺是專為IGBT模塊進行高溫反偏試驗而進行設計,是IGBT出廠檢測的重要設備。該試驗臺可對相應的IGBT器件進行適配器匹配，同時對48只器件進行試驗。測試標準符合MIL-STD-750，IEC 60747。本設備采用計算機自動控制系統，后臺軟件實時監控、自動處理目標數據，具有測試精度高、操作方便、高效等優點。
試驗臺概要
電氣系統額定參數
A．輸入電壓：380V AC；
B. 輸出電壓：0-5000V DC；
C. 輸出電流：2.5A(Max)；
D. 工作相抵濕度：空氣濕度 < 50%（高壓設備嚴格要求）；
E. 環境溫度：0-50℃。
加熱及散熱系統
該設備測試夾具共48個工位，毎路均配置獨立的加熱及冷卻系統，控溫范圍為：70-150±1.0℃，溫度分辨率為0.1℃。散熱器表面溫度升到目標溫度控制在40分鐘內。
夾具柜共分為兩個柜體，每個柜體24個工位，每個工位配有溫度控制系統，配備溫控表顯示實時溫度。如圖溫控表上面為實時溫度，下面為設定溫度。如需溫控表的詳細參數，請咨詢技術人員索要說明書。
測試技術參數
1）每個工位電流：輸出范圍0-40mA，過流保護值40Ma,
2）輸出電壓：200-4700V，分辨率10V,精度±2%±10V，（空-滿載調整率<2%）,100-200V, 分辨率10V,精度±5%±10V，（空-滿載調整率<2%）。
試驗電壓可設定保護值，保護動作時切斷主電路，并帶有聲光報警。
3）工位輸出電流：每個工位分為高低檔，低檔：0.1-15ma，分辨率0.1ma，精度±2%±0.1ma；高檔：15-40ma，分辨率0.1ma，精度±5%±0.5ma；漏電流采集模塊內三只單管的并聯值。
漏電流可設定保護值，保護動作時切斷相應工位主電路，并帶有聲光報警。
4）工位對IGBT封裝的兼容性：本設備適用器件尺寸190×140mm，夾具適配器調整后可兼容130×140mm尺寸。
每個工位有卡槽固定IGBT基板位置，氣缸控制適配器，氣動下壓；模塊基板采用氣動壓接方式固定在加熱體表面；本試驗臺另配氣泵等附件。
設備組成
本設備共分為四個機柜,分別為:計算機控制柜、電源柜、兩個夾具柜。
控制柜
控制柜為整個系統的控制及數據采集部分，利用工業控制計算機控制整個測試過程，進行實時監控，報警并進行數據顯示。
電源柜
電源柜為整個系統的高壓輸出電源部分。為元件測試提供持續0-5000V高壓。并且電源具有過流保護功能。
夾具柜
夾具柜為整個測試系統與被測元件的測試接口。夾具柜共分為48個工位，可一次性提供48個元件同時進行測試。
技術指標
靜態參數測試 | 高壓反偏測試 | |
測試參數IR | 0.01mA～2mA 0.01mA~1m±3%±0.01mA 1mA～2mA±3%±0.1mA 測試條件： 反向電壓：直流50～5000V ±3%±10V.
| 試驗電壓： 50～5000V ±3%±10V 器件漏電流測試范圍： 0.01mA～2mA 0.01mA～1mA±3%±0.01mA 1mA～2mA±3%±0.1mA 測試時間： 計算機設定 測試方法： 器件在特定溫度下存儲一定時間后，在設定電壓下對每只器件同 時持續加反壓進行測試，每隔1-2秒刷新一遍輸出的測試結果， 監控各器件反壓下漏電流參數，并保存測試數據。 |
測試參數BVR | 50V～5000V±3%±10V。 測試條件： 反向電流：0.01mA～2mA；直流方波。 0.01mA~1±3%±0.01mA； 1mA～2mA±3%±0.1mA。 | |
測試方法 | 器件在特定溫度下存儲一定時間后，先測試IR ，每只 器件依次進行測試，測試間隔時間為約1S。然后同時 測試BVR，依次采集電流。間隔時間為約100mS。
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功能指標
試驗高低溫度范圍 | -50 ºC～140ºC |
高低溫箱溫控精度 | ±1 |
溫度范圍 | -50℃～RT |
溫度波動 | ≤±2℃(空載時) |
溫度均勻 | ≤±3℃(空載時) |
升溫速率 | 不小于1～3℃/min（空載時） |
供電電源 | 220V±10%,50Hz±1Hz，安全接地 |
規格
尺 寸：1800×650×500（mm）
質 量：175kg
測試工位：20工位
工位轉換：自動切換
耐溫范圍：-50ºC～140ºC
