MYG-07D/07K;MYG芯片
晶閘管保護器是我公司在多年從事高能氧化鋅壓敏電阻生產的基礎上，專為大功率器件（晶閘管）設計的保護裝置。
高壓氧化鋅避雷器芯片
MYG-07D/07K;MYG芯片
壓敏電阻是一種無極性過電壓保護元件。無論是交流電路還是直流電路，只需將壓敏電阻器與被保護電器設備或元件并聯即可達到保護設備的目的，壓敏電阻器對電器的保護分為兩種情況，當過電壓幅值高于壓敏電壓，過電流幅值小于壓敏電阻器的zui大峰值電流時（若無壓敏電阻器足以使設備元器件破壞）壓敏電阻處于擊穿區，可將過電壓瞬時限制在很低的幅值上，此時通過壓敏電阻器的浪涌電流幅值不是很大（<100A/CM2）不足以對壓敏電阻器產生劣化；當過電壓幅值很高時，壓敏電阻器將過電壓限制在較低的水平上，（小于設備的耐壓）同時通過壓敏電阻器的沖擊電流很大，使壓敏電阻劣化，這時通過斷器的電流較大，熔斷器斷開，這樣即使電器設備，元器件免受過電壓沖擊，也可避免由于壓敏電阻器的劣化擊穿造成線路之間短路。
氧化鋅電阻片參數，試驗方式，及有關數據
幾何尺寸D±1 | 35×3.5 | 35×6 | 35×24.5 | 38×24.5 | 42×24.5 | 52×24.5 | 56×24.5 | |
U1mA≤殘壓(KV) | 0.7±0.1 | 1.35±0.15 | 5.4±0.3 | 5.2±0.3 | 5.2±0.3 | 5.1±0.3 | 5.1±0.3 | |
漏流≤(uA) | 10 | 10 | 10 | 10 | 15 | 15 | 20 | |
U5KA≤殘壓(KV) |
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| 9.3±0.6 | 8.9±0.5 | 8.8±0.5 | 8.4±0.5 | 8.3±0.5 | |
U10KA≤殘壓(KV) |
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| 8.9±0.6 | 8.9±0.6 | |
方波容量(A) | 75 | 75 | 150 | 200 | 200 | 400 | 500 | |
大電流(KA) | 25 | 25 | 55(65) | 60(65) | 65(80) | 100 | 100 | |
電位梯度V/mm | 220±10 | 220±10 | 220±10 | 210±10 | 210±10 | 210±10 | 220（185）±10 | |
壓比 8/20uA | 1.5 | 1.75 | 1.75 | 1.5 | 1.49 | 1.48 | 1.47 | 1.46 |
2.5 |
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| 1.58 | 1.56 | 1.55 | 1.53 | 1.52 | |
3 |
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| 1.6 | 1.58 | 1.56 | 1.55 | 1.54 | |
5 | 1.85(1.82) | 1.85(1.82) | 1.75(1.72) | 1.72(1.70) | 1.70(1.68) | 1.65(1.62) | 1.62 | |
10 |
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| 1.82 | 1.8 | 1.78 | 1.73 | 1.75(1.72) | |
電壓等級(KV) | 0.22 | 0.38 | 10 | 10 | 10 | 35 | 66 | |
配組片數(片) | 1 | 1 | 5 | 5 | 5 | 15 | 26 | |
包裝(件) | 1782 | 1080 | 54 |
| 24 | 60 | 60 | |
使用場所 | 低壓 | 低壓 | 配電電站 | 電站 | 電動機，電站 | 發電機 | 電站 | |
電容補償，電氣化鐵道，電機中性點，變壓氣中性點 | ||||||||
容量試驗 | 1，每批抽取U1mAzui高值，試品2ms方波耐壓試驗18次后無擊穿，無閃絡，U5KA變化率≤5% | |||||||
老化試驗 | 加速老化試驗，時間1000小時，溫度115℃，老化系數≤1.1（荷電率85%）D7系數≤1.2，荷電率為90% | |||||||
例行試驗 | 1，方波篩選；2，高點殘壓 ；3，低點殘壓 ；4，泄漏電流。 | |||||||
MYG芯片
MYG-05D/05K芯片 MYG-07D/07K芯片 MYG-10D/10K芯片
MYG-14D/14K芯片MYG-120D/20K芯片
